半导体器件保护(aR/gR特性)熔断器选用依据

电力半导体器件热容量小，在故障状态下必须要有快速熔断器保护。而快速熔断器具有与半导体器件类似的热特性，所以是一种良好的保护器件。

快速熔断器选用一般原则如下：

【 ①额定电压：快速熔断器的额定电压UN应稍大于快速熔断器熔断后两端出现的故障电路的外加交流电压。若半导体设备的负荷是有源逆变器、逆变型制动的电动机等逆变型负载时，应考虑半导体器件失控等引起设备直流侧短路的可能性，此时快速熔断器熔断时，熔片两端交流电压与直流电压叠加现象，快速熔断器的额定电压应按下式计算：UN ≥Uac+Udo×1/√2 式中：Uac：快速熔断器熔断后外加交流电压;Udo：半导体设备负载端逆变型直流电压。

②额定电流：熔断器的额定电流INF是以电路中实际流过熔断器的电流有效值IF为基础，并考虑环境温度、冷却条件、电流裕度等因素影响进行计算。INF≥K×IF 式中：K值一般可取1.5~2。对于自冷式熔断器K取较大值，尤其对熔断器两端连接导线特别短的电路，需取最大值;对水冷式熔断器K取较小值。快速熔断器选用额定电流过大势必增加熔断器的I2tF值，对半导体器件的保护是有害的。

③分断I2t：当半导体器件与快速熔断器串联工作时，半导体器件允许通过的I2tD值应大于快速熔断器的I2tF值，不然熔断器熔断时，器件也被烧损】

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